产品属性 属性值 

制造商: Infineon 

产品种类: IGBT 模块 

RoHS:  详细信息  

产品: IGBT Silicon Modules 

集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V 

集电极—射极饱和电压: 2.05 V 

在25 C的连续集电极电流: 900 A 

栅极—射极漏泄电流: 400 nA 

Pd-功率耗散: 5.1 kW 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 150 C 

封装: Tray 

技术: Si  

商标: Infineon Technologies  

安装风格: Chassis Mount  

栅极/发射极最大电压: 20 V  

产品类型: IGBT Modules  

工厂包装数量: 3  

子类别: IGBTs  

零件号别名: FF900R12IE4BOSA1 SP000614712 FF900R12IE4BOSA1