产品属性

制造商编号：FF1400R12IP4

制造商: Infineon 

产品: IGBT Silicon Modules 

配置: Dual 

集电极—发射极******电压 VCEO: 1200 V 

集电极—射极饱和电压: 2.05 V 

在25 C的连续集电极电流: 1400 A 

栅极—射极漏泄电流: 400 nA 

Pd-功率耗散: 7.65 kW 

封装 / 箱体: PRIME3 

最小工作温度: - 40 C 

******工作温度: + 150 C 

封装: Tray 

高度: 38 mm  

长度: 250 mm  

技术: Si  

宽度: 89 mm  

商标: Infineon Technologies  

安装风格: Chassis Mount  

栅极/发射极******电压: 20 V  

产品类型: IGBT Modules  

工厂包装数量: 2  

子类别: IGBTs  

零件号别名: FF1400R12IP4BOSA1 SP000609758 FF1400R12IP4BOSA1