FZ600R12KS4
产品属性
制造商编号:FZ600R12KS4
制造商: Infineon
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Single
集电极—发射极******电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 3.2 V
在25 C的连续集电极电流: 700 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 3900 W
封装 / 箱体: 62 mm
最小工作温度: - 40 C
******工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 36.5 mm
长度: 106.4 mm
技术: Si
宽度: 61.4 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极******电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FZ600R12KS4HOSA1 SP000100773 FZ600R12KS4HOSA1
单位重量: 340 g