产品属性

制造商编号：FZ800R33KF2C

制造商: Infineon 

RoHS: N  

产品: IGBT Silicon Modules 

配置: Single 

集电极—发射极******电压 VCEO: 3300 V 

集电极—射极饱和电压: 3.4 V 

在25 C的连续集电极电流: 1300 A 

栅极—射极漏泄电流: 400 nA 

Pd-功率耗散: 9.6 kW 

封装 / 箱体: IHM 

最小工作温度: - 40 C 

******工作温度: + 125 C 

封装: Tray 

高度: 38 mm  

长度: 140 mm  

技术: Si  

宽度: 130 mm  

商标: Infineon Technologies  

安装风格: Chassis Mount  

栅极/发射极******电压: 20 V  

产品类型: IGBT Modules  

工厂包装数量: 2  

子类别: IGBTs  

零件号别名: FZ800R33KF2CNOSA1 SP000100609 FZ800R33KF2CNOSA1