产品属性

制造商编号：FZ1200R12KL4C

制造商: Infineon 

RoHS: N  

产品: IGBT Silicon Modules 

配置: Dual Common Emitter Common Gate 

集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V 

集电极—射极饱和电压: 2.1 V 

在25 C的连续集电极电流: 1900 A 

栅极—射极漏泄电流: 400 nA 

Pd-功率耗散: 7.8 kW 

封装 / 箱体: IHM130 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 125 C 

封装: Tray 

高度: 38 mm  

长度: 140 mm  

技术: Si  

宽度: 130 mm  

商标: Infineon Technologies  

安装风格: SMD/SMT  

栅极/发射极最大电压: 20 V  

产品类型: IGBT Modules  

工厂包装数量: 2  

子类别: IGBTs  

零件号别名: FZ1200R12KL4CNOSA1 SP000014916 FZ1200R12KL4CNOSA1