产品属性

制造商编号：FF200R12KT4

制造商: Infineon 

RoHS: N  

产品: IGBT Silicon Modules 

配置: Dual 

集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V 

在25 C的连续集电极电流: 320 A 

封装 / 箱体: 62 mm 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 150 C 

封装: Tray 

高度: 30.5 mm  

长度: 106.4 mm  

技术: Si  

宽度: 61.4 mm  

商标: Infineon Technologies  

安装风格: Chassis Mount  

栅极/发射极最大电压: 20 V  

产品类型: IGBT Modules  

工厂包装数量: 10  

子类别: IGBTs  

零件号别名: FF200R12KT4HOSA1 SP000370618 FF200R12KT4HOSA1  

单位重量: 340 g