产品属性

制造商编号：FF200R12MT4

制造商: Infineon 

RoHS: N  

产品: IGBT Silicon Modules 

配置: Dual 

集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V 

集电极—射极饱和电压: 2.15 V 

在25 C的连续集电极电流: 295 A 

栅极—射极漏泄电流: 400 nA 

Pd-功率耗散: 1050 W 

封装 / 箱体: Econo D 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 150 C 

封装: Tray 

高度: 17 mm  

长度: 122 mm  

技术: Si  

宽度: 45 mm  

商标: Infineon Technologies  

安装风格: Chassis Mount  

栅极/发射极最大电压: 20 V  

产品类型: IGBT Modules  

工厂包装数量: 14  

子类别: IGBTs  

零件号别名: FF200R12MT4BOMA1 SP000364057 FF200R12MT4BOMA1