产品属性

制造商编号：FF600R12ME4

制造商: Infineon 

RoHS: N  

产品: IGBT Silicon Modules 

配置: Dual 

集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V 

集电极—射极饱和电压: 2.1 V 

在25 C的连续集电极电流: 995 A 

栅极—射极漏泄电流: 400 nA 

Pd-功率耗散: 4050 W 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 150 C 

封装: Tray 

技术: Si  

商标: Infineon Technologies  

安装风格: Chassis Mount  

栅极/发射极最大电压: 20 V  

产品类型: IGBT Modules  

工厂包装数量: 10  

子类别: IGBT  

零件号别名: FF600R12ME4BOSA1 SP000635448 FF600R12ME4BOSA1  

单位重量: 345 g